?小白測(cè)評(píng)拿到了首發(fā)驍龍8G1的 moto edge X30 ,對(duì)此進(jìn)行了測(cè)試比對(duì),結(jié)果顯然讓人失望,驍龍8G1依然是發(fā)熱界的扛把子。
小白測(cè)評(píng)對(duì)比了驍龍870、驍龍888+、蘋果A15和驍龍8G1,在使用10分鐘后測(cè)試的溫度顯示,驍龍8G1手機(jī)的正面溫度和背面溫度都達(dá)到了60度,背面溫度比驍龍888+的62度低、正面溫度則比驍龍888+的54度高,顯示出驍龍8G1依然是手機(jī)芯片界的扛把子。?
?對(duì)比之下,高通芯片近近三代產(chǎn)品中,驍龍865系列依然是功耗表現(xiàn)最好的產(chǎn)品,驍龍865采用7nm工藝,而驍龍888采用了5nm工藝,驍龍8G1則采用了4nm工藝,更先進(jìn)工藝卻沒能帶來(lái)更好的功耗表現(xiàn)自然讓人頗為失望。?
?高通芯片的功耗過高可能存在?兩點(diǎn)?原因,一個(gè)是ARM的兩代超大核心X1、X2的功耗實(shí)在太高。ARM的第一代64位高性能核心A57就曾出現(xiàn)嚴(yán)重的功耗過高問題,最終僅有高通的驍龍810采用了A57核心,而驍龍810也因功耗過高被手機(jī)企業(yè)紛紛放棄,這次ARM的第一代超大核心X1依然存在功耗過高的問題,而第二代超大核心X2的功耗依然過高就讓人費(fèi)解了。
其次就是三星的工藝不過關(guān),此前digitimes以晶體管密度為參數(shù),分析了Intel、三星和臺(tái)積電的先進(jìn)工藝制程,認(rèn)為三星和臺(tái)積電的7nm工藝才與Intel的10nm工藝相當(dāng),而在7nm工藝之后三家芯片制造企業(yè)又再次出現(xiàn)分差。?
?digitimes認(rèn)為就晶體管密度而言,三星的5nm工藝落后于臺(tái)積電的5nm工藝,預(yù)估三星的3nm工藝可能才稍微領(lǐng)先于臺(tái)積電的5nm工藝,三星的工藝制程實(shí)際性能表現(xiàn)不如預(yù)期應(yīng)該也是導(dǎo)致高通的驍龍888和驍龍8G1功耗過高的原因。
這次高通的驍龍8G1還面臨一個(gè)強(qiáng)勁的對(duì)手,那就是聯(lián)發(fā)科的天璣9000,天璣9000的處理器核心架構(gòu)和驍龍8G1完全一樣,都是單核X2+三核A79+四核A55,不過天璣9000由臺(tái)積電以4nm工藝生產(chǎn),在臺(tái)積電的工藝比三星更先進(jìn)的情況下,天璣9000的功耗表現(xiàn)估計(jì)會(huì)比驍龍8G1優(yōu)秀?得?多。?
?高通連續(xù)兩代高端芯片都存在功耗過高的問題,勢(shì)必會(huì)對(duì)高通的品牌聲譽(yù)和市場(chǎng)份額造成負(fù)面影響,當(dāng)下聯(lián)發(fā)科在全球手機(jī)芯片市場(chǎng)已取得接近四成份額,而高通僅有24%左右的份額,高端芯片又再度面臨發(fā)熱問題,高通進(jìn)一步衰退應(yīng)該是可以預(yù)期的結(jié)果。
當(dāng)前標(biāo)題:驍龍8G1仍然是發(fā)熱界的扛把子,消費(fèi)者別搶著買安卓旗艦手機(jī)了-創(chuàng)新互聯(lián)
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