本篇內(nèi)容介紹了“Write-through與Write-back的區(qū)別是什么”的有關(guān)知識(shí)，在實(shí)際案例的操作過程中，不少人都會(huì)遇到這樣的困境，接下來就讓小編帶領(lǐng)大家學(xué)習(xí)一下如何處理這些情況吧！希望大家仔細(xì)閱讀，能夠?qū)W有所成！

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Write Through和Write Back

   Write Through和Write Back是陣列卡Cache的兩種使用方式，也稱為透寫和回寫。當(dāng)選用write through方式時(shí)，系統(tǒng)的寫磁盤操作并不利用陣列卡的Cache，而是直接與磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)的交互。而write Back方式則利用陣列Cache作為系統(tǒng)與磁盤間的二傳手，系統(tǒng)先將數(shù)據(jù)交給Cache，然后再由Cache將數(shù)據(jù)傳給磁盤。

   在配置陣列的時(shí)候，如果不是很清楚的話，默認(rèn)就可以了，系統(tǒng)會(huì)根據(jù)磁盤類型進(jìn)行默認(rèn)設(shè)置。

   生產(chǎn)環(huán)境中的配置要根據(jù)具體的業(yè)務(wù)類型及環(huán)境進(jìn)行配置，比如：如果有外置UPS電源，選Write Back，如果沒有外置電源，并且對(duì)數(shù)據(jù)安全性要求很高，不要求太高性能，就選Write Through。

Write caching 或 write-through

   write-through意思是寫操作根本不使用緩存。數(shù)據(jù)總是直接寫入磁盤。關(guān)閉寫緩存，可釋放緩存用于讀操作。（緩存被讀寫操作共用）

   Write caching可以提高寫操作的性能。數(shù)據(jù)不是直接被寫入磁盤；而是寫入緩存。從應(yīng)用程序的角度看，比等待完成磁盤寫入操作要快的多。因此，可以提高寫性能。由控制器將緩存內(nèi)未寫入磁盤的數(shù)據(jù)寫入磁盤。表面上看，Write cache方式比write-through方式的讀、寫性能都要好，但是也要看磁盤訪問方式和磁盤負(fù)荷了。
write-back（write cache）方式通常在磁盤負(fù)荷較輕時(shí)速度更快。負(fù)荷重時(shí)，每當(dāng)數(shù)據(jù)被寫入緩存后，就要馬上再寫入磁盤以釋放緩存來保存將要寫入的新數(shù)據(jù)，這時(shí)如果數(shù)據(jù)直接寫入磁盤，控制器會(huì)以更快的速度運(yùn)行。因此，負(fù)荷重時(shí)，將數(shù)據(jù)先寫入緩存反而會(huì)降低吞吐量。

Starting and stopping cache flushing levels

   這兩個(gè)設(shè)置影響控制器如何處理未寫入磁盤的緩存內(nèi)數(shù)據(jù)，并且只在write-back cache方式下生效。緩存內(nèi)數(shù)據(jù)寫入磁盤稱為flushing.你可以配置Starting and stopping cache flushing levels值，這個(gè)值表示占用整個(gè)緩存大小的百分比。當(dāng)緩存內(nèi)未寫入磁盤的數(shù)據(jù)達(dá)到starting flushing value時(shí)，控制器開始flushing（由緩存寫入磁盤）。當(dāng)緩存內(nèi)未寫入磁盤數(shù)據(jù)量低于stop flush value時(shí)，flushing過程停止。控制器總是先flush舊的緩存數(shù)據(jù)。緩存內(nèi)未寫入數(shù)據(jù)停留超過20秒鐘后被自動(dòng)flushing.
   典型的start flushing level是80%。通常情況下，stop flushing level也設(shè)置為80%。也就是說，控制器不允許超過80%的緩存用于write-back cache,但還是盡可能保持這一比例。如果你使用此設(shè)置，可以在緩存內(nèi)存更多的未寫入數(shù)據(jù)。這有利于提高寫操作的性能，但是要犧牲數(shù)據(jù)保護(hù)。如果要得到數(shù)據(jù)保護(hù)，你可以使用較低的start and stop values。通過對(duì)這兩個(gè)參數(shù)的設(shè)置，你可以調(diào)整緩存的讀、寫性能。經(jīng)測(cè)試表明，使用接近的start and stop flushing levels時(shí)性能較好。如果stop level value遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于start value，在flushing時(shí)會(huì)導(dǎo)致磁盤擁塞。

Cache block size

   這個(gè)值指緩存分配單元大小，可以是4K或16K。選擇合適的值，可以明顯的改善緩存使用性能。
如果應(yīng)用程序更多時(shí)候訪問小于8K的數(shù)據(jù)，而將cache block size設(shè)置為16K，每次訪問僅使用一部分cache block。在16K的cache block里總是存儲(chǔ)8K或更小的數(shù)據(jù)，意味著只有50%的緩存容量被有效使用，使性能下降。對(duì)于隨機(jī)I/O和小數(shù)據(jù)塊的傳送，4K比較合適。另一方面，如果是連續(xù)I/O 并使用大的segment size，最好選擇16K。大的cache block size意味著cache block數(shù)量少并可縮短緩存消耗延時(shí)。另外，對(duì)于同樣大小的數(shù)據(jù)，cache block size大一些，需要的緩存數(shù)據(jù)傳送量更小。

其他相關(guān)說明：

保護(hù)內(nèi)存里的數(shù)據(jù)

   備援電池的功能是確保萬一當(dāng)主電源故障或突然斷電時(shí)內(nèi)存里的數(shù)據(jù)不流失，因此如何確保備援電池的正常運(yùn)行就顯得格外重要。備援電池在2種情況下，系統(tǒng)視為無法正常運(yùn)行以保護(hù)內(nèi)存里的數(shù)據(jù)。一是壞掉的時(shí)候，背板的LED燈將亮起紅燈。一是電池充電的時(shí)候，背板的LED燈將亮起黃燈。備援電池的使用壽命是根據(jù)充電的次數(shù)及電力釋放的周期而變化的，這取決于用戶本身對(duì)盤陣的使用情況，一般而言我們建議最好在盤陣使用了12個(gè)月之后更換備援電池模塊（BBU）。備援電池在正常情況下充滿電的時(shí)候是3.5V，當(dāng)其電力降至2.7V的時(shí)候?qū)⒆詣?dòng)進(jìn)入充電狀態(tài)，此時(shí)系統(tǒng)因?yàn)楸Ｗo(hù)內(nèi)存數(shù)據(jù)不流失的電力消失，自動(dòng)地將數(shù)據(jù)的寫入切換成“Write-Through”模式；當(dāng)充完電后，又自動(dòng)切換回“Write-Back”模式。這個(gè)動(dòng)作是在事件啟動(dòng)裝置（Event Trigger）功能來執(zhí)行的，在安裝管理軟件的時(shí)候，事件啟動(dòng)裝置對(duì)備援電池的管理初始值是打開的（Enable）。如果你沒有更改過初始設(shè)置，那么上述的動(dòng)作就會(huì)正常的運(yùn)行。如果備援電池已經(jīng)壞掉，不能正常保護(hù)內(nèi)存里的數(shù)據(jù)時(shí)，而事件啟動(dòng)裝置對(duì)備援電池的管理是設(shè)定在關(guān)閉的狀態(tài)下，我們建議你手動(dòng)將數(shù)據(jù)寫入模式更改為“Write-Through”模式，以免數(shù)據(jù)寫入沒有電力保護(hù)的內(nèi)存中而主電源故障或突然斷電時(shí)，這些正在寫入的數(shù)據(jù)就遺失了。

減少延遲
   當(dāng)關(guān)閉內(nèi)存“Write-Back”功能時(shí)就進(jìn)入了“Write-Through”的模式，這時(shí)候主機(jī)數(shù)據(jù)是不會(huì)寫入內(nèi)存而直接寫入硬盤的。在“Write-Through”模式下，所有的硬盤將與其相關(guān)的主機(jī)以適當(dāng)?shù)姆绞酱嫒?shù)據(jù)塊，而大多數(shù)的時(shí)候硬盤處于接受寫命令的狀態(tài)。此時(shí)盤陣只要從主機(jī)接收到寫入的命令，硬盤的讀寫頭就會(huì)去尋找讀寫的位置，并等待硬盤處于可寫入的狀態(tài)，這個(gè)等待的現(xiàn)象就是所謂的延遲（Latency Time)，而硬盤經(jīng)常處于等待寫入的狀態(tài)，增加了延遲的時(shí)間，不但縮短硬盤的使用壽命，并且系統(tǒng)也比較耗電。當(dāng)打開內(nèi)存的“Write-Back”功能時(shí)，從主機(jī)寫入硬盤的數(shù)據(jù)先被寫在內(nèi)存里，在內(nèi)存寫滿數(shù)據(jù)時(shí)盤陣控制器會(huì)將存在于內(nèi)存的數(shù)據(jù)大量地寫入硬盤。這個(gè)內(nèi)存“Write-Back”的模式將主機(jī)寫入的命令以寫入內(nèi)存來取代，可以大幅減少硬盤延遲的時(shí)間，并且相較于“Write-Through”模式，在大多數(shù)的時(shí)候提供更佳的寫入政策。

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分享名稱：Write-through與Write-back的區(qū)別是什么
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